翠展微电子致力打造国产IGBT新名片
作为铺垫的一年,翠展微电子顺利度过2021年,从设立工厂到铺建产线,到调试设备,到正式投产,逐步在积累中实现了一个阶段的跨越式发展。翠展微电子的主要产品——IGBT模块的生产也已大幅跨入增量增产阶段。IGBT是新一代功率半导体的典型应用,既有MOSFET的开关速度快,又有输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点,是其他功率器件不能比拟的,因而被誉为“电力电子器件里的CPU”。 IGBT的技术和壁垒极高,虽在变频器、逆变焊机、新能源汽车、充电桩等应用广泛,但仍离普通人的生活比较遥远。本文转载自[电子产品世界论坛.dolphin],旨在对IGBT进行简单科普,以使大众对翠展微电子打造的国产IGBT新名片有所了解。 1.IGBT的基本结构 定义 绝缘栅双极晶体管(IGBT)本质上是一个场效应晶体管,只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层。根据国际电工委员会的文件建议,其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名。 IGBT 的开通和关断是由栅极电压来控制的。当栅极加正电压时,MOSFET 内形成沟道,并为PNP晶体管提供基极电流,从而使IGBT导通,此时,从P+区注到N一区进行电导调制,减少N一区的电阻 Rdr值,使高耐压的 IGBT 也具有低的通态压降。在栅极上加负电压时,MOSFET 内的沟道消失,PNP晶体管的基极电流被切断,IGBT 即关断。正是由于 IGBT 是在N 沟道 MOSFET 的 N+ 基板上加一层 P+ 基板,形成了四层结构,由PNP-NPN晶体管构成 IGBT 。但是,NPN晶体管和发射极由于铝电极短路,设计时尽可能使NPN不起作用。所以说,…